CMOS এবং TTL এর মধ্যে পার্থক্য: CMOS vs TTL এর তুলনা এবং পার্থক্য হাইলাইট

CMOS vs TTL

অর্ধপরিবাহী প্রযুক্তি আবির্ভাব সঙ্গে, ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট বিকশিত হয়েছে, এবং তারা ইলেকট্রনিক্স জড়িত প্রযুক্তি প্রতি ফর্ম তার উপায় খুঁজে পেয়েছে। যোগাযোগ থেকে ঔষধ পর্যন্ত, প্রতিটি ডিভাইসের সমন্বিত সার্কিট রয়েছে, যেখানে সার্কিটগুলি সাধারণ উপাদানগুলির সাথে বাস্তবায়িত হলে মহাকাশ এবং শক্তিটি ব্যবহার করা হবে, এটি আজকের উন্নত সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তির ব্যবহার করে ক্ষুদ্রতর সিলিকন ওয়েফারের উপর নির্মিত

সকল ডিজিটাল ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট তাদের মৌলিক বিল্ডিং ব্লক হিসাবে লজিক গেট ব্যবহার করে বাস্তবায়িত হয়। প্রতিটি গেট ট্রানজিস্টর, ডায়োড এবং প্রতিরোধক হিসাবে ছোট ইলেকট্রনিক উপাদান ব্যবহার করে নির্মিত হয়। যৌথ ট্রানজিস্টর এবং প্রতিরোধকারীর দ্বারা নির্মিত লজিক গেটসগুলির সেটগুলি সমতলে TTL গেট পরিবার নামে পরিচিত। টিটিএল গেটের দুর্বলতা দূর করার জন্য প্যাট্রিসিয়োস্ট, এনএমওএস এবং সবচেয়ে সাম্প্রতিক ও জনপ্রিয় পরিপূরক মেটাল অক্সাইড সেমিকন্ডাক্টর টাইপ বা সিএমওএস হিসাবে গেটস নির্মাণের জন্য আরও প্রযুক্তিগতভাবে উন্নত পদ্ধতি ডিজাইন করা হয়েছিল।

একটি সমন্বিত সার্কিটে, গেটস একটি সিলিকন ওয়েফার তৈরি করা হয়, টেকনিক্যালিটি সল্ট হিসাবে বলা হয়। গেট নির্মাণের জন্য ব্যবহূত প্রযুক্তির উপর ভিত্তি করে, আইসিগুলি টিটিএল এবং সিএমওএস-এর পরিবারগুলিতে শ্রেণীভুক্ত করা হয়, কারণ মৌলিক গেট ডিজাইন যেমন সংকেত ভোল্টেজ লেভেল, বিদ্যুত ব্যবহার, প্রতিক্রিয়া সময় এবং একীকরণের স্কেলের অন্তর্নিহিত বৈশিষ্ট্য।

টিটিএল সম্পর্কে আরো

টিআরডির জেমস এল বুয়েটি 1961 সালে টিটিএল আবিষ্কার করেন এবং এটি ডিএল ও আরটিএল লজিকের পরিবর্তে কাজ করে এবং দীর্ঘস্থায়ী যন্ত্র এবং কম্পিউটার সার্কিটগুলির জন্য আইসি পছন্দ ছিল। টিটিএল ইন্টিগ্রেশন পদ্ধতি ক্রমাগতভাবে উন্নয়নশীল হয়েছে, এবং আধুনিক প্যাকেজগুলি বিশেষ অ্যাপ্লিকেশানে এখনও ব্যবহৃত হয়।

টিটিএল লজিক গেটগুলি মিলিত দ্বিপদী জংশন ট্রানজিস্টর এবং প্রতিরোধকগুলির একটি নন্দ গেট তৈরির জন্য নির্মিত। ইনপুট ল (আমি _এল ) এবং ইনপুট হাই (I _এইচ ) ভোল্টেজ রেঞ্জ 0 এল <0. 8 এবং ২ ২ <5. 0 যথাক্রমে। আউটপুট কম এবং আউটপুট উচ্চ ভোল্টেজের রেঞ্জ 0 L _{<0. 4 এবং 2. 6 h <5. ক্রম অনুযায়ী। TTL গেটস গ্রহণযোগ্য ইনপুট এবং আউটপুট voltages সংকেত প্রেরণ একটি শব্দ স্তরের উচ্চতর উচ্চতা স্তর পরিচয় করিয়ে স্ট্যাটিক শৃঙ্খলার অধীন হয়। গড়ে তোলার সময় একটি টিটিএল গেট, 10 মিটার পাওয়ার পাওয়ার অপচয় এবং একটি 15 পিএফ / 400 ওম লোড চালানোর সময় 10 এনএসের প্রজেকশন বিলম্ব। কিন্তু সিএমওএসের তুলনায় বিদ্যুতের চাহিদা একেবারে ধ্রুবক। টিটিএল এছাড়াও ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক বাধা একটি উচ্চ প্রতিরোধের আছে।}

টিটিএল এর অনেক বৈশিষ্ঠ স্পেস অ্যাপ্লিকেশন এবং লো-পাওয়ার স্কট্কি টিটিএল (এলএস) জন্য রশ্মি কঠোর TTL প্যাকেজ হিসাবে নির্দিষ্ট উদ্দেশ্যে উন্নত করা হয় যা গতির একটি ভাল সমন্বয় প্রদান করে (9।5ns) এবং ক্ষমতা হ্রাস (2mW)

CMOS সম্পর্কে আরও

1963 সালে, ফেয়ারহ্লিফ সেমিকন্ডাক্টর ফ্রাঙ্ক ওয়ানলাস সিএমওএস প্রযুক্তি আবিষ্কার করেন। যাইহোক, প্রথম সিএমওএস ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট 1968 সাল পর্যন্ত উৎপাদিত হয় নি। 1967 সালে ফ্রাঙ্ক ওয়ানলাস এন্ট্রান্সটি আবিষ্কার করেন।

সিএমওএস লজিক পরিবারটি তার সর্বাধিক ব্যবহৃত লজিক পরিবারগুলির মধ্যে রয়েছে যেমন ট্রান্সমিশন লেভেলের সময় কম শক্তি খরচ এবং কম গোলমালের মতো অসংখ্য সুবিধা। সমস্ত সাধারণ মাইক্রোপ্রসেসর, মাইক্রোকন্ট্রোলার এবং ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট CMOS প্রযুক্তি ব্যবহার করে।

সিএমওএস লজিক গেট ফিলিং ইফেক্ট ট্রানজিস্টর FET ব্যবহার করে তৈরি করা হয় এবং সার্কিটরি বেশিরভাগ রোধকারীর বাইরে থাকে। ফলস্বরূপ, সিএমওএস গেট স্ট্যাটিক অবস্থায় কোনও শক্তি ব্যবহার করে না, যেখানে সংকেত ইনপুট অপরিবর্তিত থাকে। ইনপুট ল (I

L _{) এবং ইনপুট হাই (I} এইচ _{) ভোল্টেজ রেঞ্জগুলি <<<} L _{<1. 5 এবং 3. 5 <5. 0 এবং আউটপুট কম এবং আউটপুট উচ্চ ভোল্টেজের রেঞ্জ 0 এল} <0. 5 এবং 4. 95 এইচ <5. 0 যথাক্রমে। <সিএমওএস এবং টিটিএল এর মধ্যে পার্থক্য কি? _{• টিটিএল উপাদান তুলনামূলকভাবে সমান CMOS উপাদান তুলনায় সস্তা। যাইহোক, সিএমও প্রযুক্তিটি বড় আকারের উপর নির্ভরশীল হতে থাকে কারণ বর্তনী উপাদানগুলি ছোট এবং টিটিএল উপাদানগুলি তুলনায় কম প্রবিধান প্রয়োজন।} • সিএমওএস উপাদান স্ট্যাটিক অবস্থায় বিদ্যুৎ ব্যবহার করে না, তবে ঘড়ি হারের সাথে বিদ্যুতের ব্যবহার বৃদ্ধি পায়। টিটিএল, অন্যদিকে, একটি ধ্রুবক শক্তি খরচ স্তর আছে

• যেহেতু সিএমওএস এর কম বর্তমান প্রয়োজনীয়তা রয়েছে, তাই বিদ্যুতের খরচ সীমিত এবং সার্কিটগুলি পাওয়ার ম্যানেজমেন্টের জন্য ডিজাইন করা সহজ এবং সহজ।

• দীর্ঘস্থায়ী ও পতনের সময়, সিএমও পরিবেশের ডিজিটাল সিগন্যালগুলি কম ব্যয়বহুল এবং জটিল হতে পারে।

• টিসিএল উপাদানগুলির তুলনায় ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক বিঘ্নের জন্য সিএমওএস উপাদান বেশি সংবেদনশীল।