এনপিএন এবং পিএনপি ট্রানজিস্টর মধ্যে পার্থক্য

এনপিএন বনাম পিএনপি ট্রানজিস্টর

ট্রানজিস্টর 3 টার্মিনাল ইলেকট্রনিক্স ব্যবহৃত সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস। অভ্যন্তরীণ অপারেশন এবং গঠন ট্রানজিস্টর উপর ভিত্তি করে দুটি বিভাগ বিভক্ত করা হয়, দ্বিপোল জার্নাল ট্রানজিস্টার (BJT) এবং মাঠ প্রভাব ট্রানজিস্টার (FET)। বেল টেলিফোন ল্যাবরেটরিজগুলিতে জন বর্ধীন ও ওয়াল্টার ব্র্যাটাইনের মধ্যে বিজেটি এর প্রথম সংযোজন হয়েছিল 1947 সালে। পিএনপি এবং এনপিএন মাত্র দুই ধরনের দ্বিপার্শ্বস্থ জংশন ট্রানজিস্টর (বিজেটি)।

BJTs এর কাঠামো যেমন একটি P- টাইপ বা N- টাইপ অর্ধপরিবাহী উপাদান একটি পাতলা স্তর একটি বিপরীত টাইপ অর্ধপরিবাহী দুটি স্তর মধ্যে মধ্যে sandwiched হয়। স্যান্ডউইচড লেয়ার এবং দুটি বাইরের স্তর দুটি সেমিকন্ডাক্টর জংশন তৈরি করে, তাই নামটি বিপলার জংশন ট্রানজিস্টর। একটি বিজেটি পি-টাইপ অর্ধপরিবাহী উপাদান মাঝখানে এবং n- টাইপ উপাদান এ উপাদান একটি এনপিএন টাইপ ট্রানজিস্টার হিসাবে পরিচিত হয়। একইভাবে, একটি বিজেটি এন-টাইপ উপাদান মধ্য এবং পি-টাইপ উপাদানগুলির পাশে পিএনপি ট্রানজিস্টার নামে পরিচিত।

--২ ->

মাঝারি স্তরকে বেস (B) বলা হয়, যখন বাইরের স্তরের একটিকে সংগ্রাহক (সি) বলা হয় এবং অন্যান্য ইমিটার (ই)। জংশনগুলি বেস-ইমিটার (বি-ই) জংশন এবং বেস-সংগ্রাহক (বি-সি) জংশন হিসাবে উল্লেখ করা হয়। বেস হালকা ডপপড, যখন emitter অত্যন্ত ডোড হয়। সংগ্রাহক একটি emitter চেয়ে অপেক্ষাকৃত কম ডোপিং ঘনত্ব আছে।

অপারেশন ইন, সাধারণত ই জংশন পক্ষপাতদুষ্ট এবং বিসি জংশন একটি উচ্চতর ভোল্টেজের সঙ্গে বিপরীত পক্ষপাতিত্ব হয়। চার্জ প্রবাহগুলি এই দুটি জংশনে বহনকারী বাহনগুলির কারণে হয়।

পিএনপি ট্রানজিস্টর সম্পর্কে আরও

একটি PNP ট্রানজিস্টার একটি নন-টাইপ অর্ধপরিবাহী উপাদান সঙ্গে দাতা অপবিত্রতা অপেক্ষাকৃত কম ডোপিং ঘনত্ব সঙ্গে নির্মিত হয়। Emitter গ্রহণকারী অযোগ্যতার একটি উচ্চতর ঘনত্ব এ ডোড হয়, এবং সংগ্রাহক emitter চেয়ে একটি নিম্ন ডোপিং স্তর দেওয়া হয়।

অপারেশন ইন, বে জংশ বেস থেকে একটি নিম্ন সম্ভাব্য প্রয়োগ করে পক্ষপাতদুষ্ট হয়, এবং বিসি জংশার সংগ্রাহক অনেক কম ভোল্টেজ ব্যবহার করে বিপরীত পক্ষপাতিত্ব হয়। এই কনফিগারেশন ইন, PNP ট্রানজিস্টার একটি সুইচ বা একটি পরিবর্ধক হিসাবে কাজ করতে পারেন।

PNP ট্রানজিস্টরের অধিকাংশ চার্জ ক্যারিয়ার, গর্তগুলি অপেক্ষাকৃত কম গতিশীলতা রয়েছে। এটি বর্তমান প্রবাহের ফ্রিকোয়েন্সি প্রতিক্রিয়া এবং সীমাবদ্ধতার একটি নিম্ন হারে ফলাফল।

এনপিএন ট্রানজিস্টর সম্পর্কে আরও

অপেক্ষাকৃত কম ডোপিং স্তরের সাথে পি-টাইপ অর্ধপরিবাহী উপাদান এ NPN টাইপ ট্রানজিস্টর নির্মিত হয়। এমিতার একটি ডোনার অযোগ্যতা সঙ্গে একটি খুব উচ্চ ডোপিং স্তরে ডোড হয়, এবং সংগ্রাহক emitter চেয়ে নিম্ন স্তরের সঙ্গে ডোড হয়।

এনপিএন ট্রানজিস্টরের বিজয়ের কনফিগারেশন হল পিএনপি ট্রানজিস্টারের বিপরীত।ভোল্টেজগুলি বিপরীত।

এনপিএন ধরনের সর্বাধিক চার্জ ক্যারিয়ার হল ইলেকট্রন, যা গর্তের চেয়ে বেশি গতিশীলতা রয়েছে। অতএব, একটি এনপিএন টাইপ ট্রানজিস্টরের প্রতিক্রিয়া সময় পিএনপি টাইপ তুলনায় অপেক্ষাকৃত দ্রুত। অতএব, এনপিএন টাইপ ট্রানজিস্টরগুলি উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সির সাথে ব্যবহৃত ডিভাইসগুলিতে সর্বাধিক ব্যবহৃত হয় এবং PNP এর তুলনায় এটির তৈয়ারটি সহজেই তৈরি করে।

এনপিএন এবং পিএনপি ট্রানজিস্টরের মধ্যে পার্থক্য কি?

• পিএনপি ট্রানজিস্টরগুলির পি-টাইপ সংগ্রাহক এবং এন-টাইপ বেসের সাথে emitter থাকে, যখন এনপিএন ট্রানজিস্টরগুলি n- টাইপ সংগ্রাহক এবং পি-টাইপ বেসের সাথে emitter থাকে।
• পিএনপি এর বেশিরভাগ চার্জ ক্যারিয়ারের ছিদ্র যখন এনপিএন-তে, এটি ইলেকট্রন।
• পক্ষপাতদুষ্ট হয় যখন, অন্য ধরনের আপেক্ষিক বিপরীত সম্ভাবনাগুলি ব্যবহৃত হয়।
• এনপিএন একটি দ্রুততর ফ্রিকোয়েন্সি প্রতিক্রিয়া সময় এবং উপাদান দ্বারা একটি বৃহত্তর বর্তমান প্রবাহ আছে, যখন PNP সীমিত বর্তমান প্রবাহ সঙ্গে কম ফ্রিকোয়েন্সি প্রতিক্রিয়া আছে।